第三代半导体，又称宽禁带半导体，是以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的新型半导体材料，有时也包含氧化锌、氧化镓、金刚石等 。相较于传统硅材料，其具有禁带宽、耐高压、耐高温、开关速度快、热导率高等优异特性，适用于高频、高压、高温工作环境。其兴起以氮化镓材料P型掺杂的突破为起点，以高效率蓝光发光二极管的研制成功为重要标志 。
该材料是功率半导体技术发展的前沿方向，广泛应用于新能源汽车、5G通信、光伏储能、智能电网、AI数据中心及轨道交通等领域，已成为全球半导体产业战略竞争的新焦点，并处于从技术验证期向规模化商业爆发期跨越的历史性拐点。当前，中国在该领域的技术和产业发展较为活跃。技术层面，8英寸SiC已进入量产元年，12英寸技术储备加速推进，12英寸碳化硅晶圆已实现大规模量产 ；2025年，行业推出了可批量装车的1500V高耐压大功率碳化硅芯片 。2026年4月，第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会投票通过三项团体标准立项 ；2026年6月，韩国政府启动“超级创新经济项目”，计划投入5000亿韩元国家资金专项攻关碳化硅、氮化镓等下一代功率半导体技术 。超宽禁带半导体如AlGaN、氧化镓和金刚石正成为新研究热点 。
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