氟化氩光刻机是中国自主研发的集成电路生产设备，采用193纳米波长的光源，具备分辨率≤65纳米、套刻精度≤8纳米的技术参数 。该设备由中微半导体、上海微电子装备集团和中国科学院微电子研究所共同研发，上海微电子装备集团曾完成国内首台氟化氩光刻机的研制并实现产品流片 。
2024年，该设备被列入工信部《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》 ，标志着中国在半导体制造领域的技术突破。其实际制程约为55纳米，技术水平相当于ASML公司2015年推出的TWINSCAN XT:1460K光刻机，相比国产此前最先进的90纳米光刻机显著提升 。该设备为干式ArF光刻机，采用193纳米波长光源，结合多重图形技术可支持65nm制程。
自1999年国际首台ArF光刻机问世以来，中国通过20余年技术攻关，实现了光刻机光源系统、投影物镜及机械控制等核心部件的自主可控 。
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