全球最小的SRAM芯片单元是由英特尔公司研发的存储芯片单元，尺寸为1平方微米，作为存储芯片的基本模块，采用0.09微米（90纳米）工艺制造的全功能SRAM设备的一部分。该单元应用于微处理器、芯片组及通信产品 。
制造采用7层铜互连技术、应变硅晶材料及193纳米/248纳米光刻工具。该工艺通过优化单元尺寸提升逻辑密度与缓存容量，其技术成果为量产的Prescott微处理器提供制造基础 。
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全球最小的SRAM芯片单元
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