Bump，即金属凸点，是半导体先进封装中用于实现芯片与基板电气互连的微型金属结构。它通过在芯片电极焊盘上制备微小凸点，取代传统引线，承担电气互连、机械支撑和导热功能，是倒装芯片、晶圆级封装等实现高密度垂直互连的基础 。Bump技术是实现倒装芯片、晶圆级封装、扇出型封装、2.5D/3D封装等先进封装技术互连的核心方案，通过在芯片表面制作金属凸块提供电气互连的“点”接口，实现了“以点代线”的突破，提升了芯片的电性能、集成度和可靠性 。主流凸点包括焊料凸点、铜柱凸点和微凸块等类型。焊料凸点工艺成熟、成本较低，广泛应用于中低端封装产品。铜柱凸点因其更优的导电性、机械强度和抗电迁移能力，成为高端手机、高性能计算芯片倒装互连的主流选择 。微凸块是微米级极小尺寸凸点，专为2.5D/3D堆叠和HBM（高带宽内存）设计，实现芯片间超高密度垂直互连 。此外，金凸点主要用于显示驱动芯片的COG/COF封装 。
该技术起源于20世纪60年代，由IBM开发并随后发展为可控塌陷芯片连接（C4）技术。其发展历程经历了从金凸点主导，到锡基凸点与电镀法普及，再到小间距与异构集成等阶段 。进入2020年代至今的创新阶段，凸点间距持续缩小至10μm以下，技术开始向混合键合（Hybrid Bonding）等“无凸点”技术演进，以进一步缩小接点间距并与3D集成深度融合 。
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