P沟MOS晶体管是一种金属氧化物半导体场效应晶体管，属于电路元件类别，其结构以n型硅衬底为基础，通过两个P+掺杂区分别构成源极和漏极。当栅极施加足够正电压时，栅极下方会形成P型反型层作为导电沟道，根据是否预置沟道可分为增强型与耗尽型两种类型 。
该器件由于空穴迁移率较低，在相同几何尺寸与工作电压条件下跨导小于N沟道MOS晶体管。其阈值电压绝对值较高，工作时需施加更高驱动电压，且供电电源的电压极性与双极型晶体管逻辑电路不兼容。PMOS电路逻辑摆幅较大，充电放电时间长，导致工作速度较低，但因工艺简单、成本较低的特点，仍被部分中/小规模数字控制电路采用 。典型供电电压为-24V，与CMOS电路直接接口时要求后者电源电压选择10～12V以实现电平适配。PMOS导通条件为栅源电压低于阈值电压，适用于源极连接VCC的高端驱动场景 。
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