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浅槽隔离
发布于 2026-09-19 14:49:00
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浅槽隔离，即STI。通常用于0.25um以下工艺，通过利用氮化硅掩膜经过淀积、图形化、刻蚀硅后形成槽，并在槽中填充淀积氧化物，用于与硅隔离。
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浅槽隔离,浅槽,隔离工艺,隔离
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