杨冠华，男，博士研究生学历，现任中国科学院微电子研究所副研究员，主要研究方向包括先进DRAM存储器、氧化物薄膜晶体管及三维集成技术。
杨冠华于2007年9月至2011年6月在西北大学攻读电子科学与技术专业本科，2012年8月至2013年11月在香港科技大学攻读集成电路设计硕士，2016年9月至2019年6月在中国科学院微电子研究所攻读博士研究生。 2013年12月至2015年6月，任Synopsys.inc模拟集成电路工程师。2015年7月加入中国科学院微电子研究所，历任研究实习员、助理研究员，于2022年2月起任副研究员。 2024年1月，在集成电路制造技术重点实验室揭牌仪式上作学术进展报告。 2025年12月，曾作为用户代表参与研究所芯片流片服务采购项目评审。 2026年5月，在清华大学电子工程系学术论坛作主题报告。
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